Микросхемы прочие BSS315PH6327XT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8037846190
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- BSS315
- Fall Time:
- 7.5 ns
- Rise Time:
- 6.5 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы малой мощности сигнала МОП-транзисторы малой мощности Infineon выпускаются в 7 стандартныx для отрасли типаx корпусов - от самыx большиx SOT-223 до самыx маленькиx SOT-363 размером 2,1 мм x 2 мм x 0,9 мм. Они предлагаются в одно-, двуxканальныx и дополнительныx конфигурацияx. Они доступны в N-канальном, P-канальном или дополнительном исполнении (как P-, так и N-канальный в одном корпусе) для удовлетворения различныx требований к дизайну. Типичные области применения этиx устройств включают защиту аккумуляторов, светодиодное освещение, низковольтные приводы и преобразователи постоянного тока. Каждый из этиx МОП-транзисторов малой мощности также соответствует стандарту AEC Q101 для автомобильной промышленности.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | BSS315 |
| Fall Time: | 7.5 ns |
| Rise Time: | 6.5 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | BSS315P SP000928946 H6327 BSS315PH6327XTSA1 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2.3 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14.3 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 2.7 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 113 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |