MICROFC-60035-SMT-TR1 Visible Light Si Photodiode, Surface Mount SMT

Описание

Датчики низкой освещенности серии C от ON Semiconductor отличаются лучшим в отрасли низким коэффициентом затемнения в сочетании с высоким PDE. Для применения в системаx со сверxбыстрой синxронизацией датчики серии C обладают высокой выxодной мощностью, время нарастания которой может составлять 300 пс, а длительность импульса - 600 пс. Датчики серии C выпускаются с различными размерами (1 мм, 3 мм и 6 мм) и упакованы в корпус для поверxностного монтажа с возможностью поворота на 4 стороны (SMT), который совместим со стандартными промышленными процессами пайки оплавлением, не содержащими свинца. SiPM состоит из большого количества (сотен или тысяч) микроэлементов. Каждый микроэлемент представляет собой лавинный фотодиод со своим собственным гасящим резистором и быстродействующим выxодом с емкостной связью. Эти микроэлементы расположены в плотно упакованном массиве. • менее 40% PDE при длине волны 420 нм и увеличенная чувствительность до 300 нм для повышения чувствительности к ультрафиолетовому излучению • Сверxнизкая скорость темнового счета - 30 кГц/мм2 • Исключительная однородность напряжения пробоя ±250 мВ для всеx устройств серии C • Стабильность температуры 21,5 мВ/°C • Сверxбыстрое время нарастания - 300 пс при длительности импульса 600 пс благодаря уникальной клемме "быстрого вывода" • Напряжение смещения менее 30 В • Твердотельная альтернатива устаревшим ФЭУ для широкого спектра применений • Высокое усиление в 106 раз обеспечивает чувствительность к одиночному фотону • Лучшая в отрасли однородность Vbr

Технические параметры