MHQ0603P24NHTD25, RF Inductors - SMD 0201 24nH Tol 3% AEC-Q200
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006231127
- Артикул
- MHQ0603P24NHTD25
- Бренд
- TDK/EPCOS
- PPAP
- Unknown
- Type
- RF Chip
- Ratings
- AEC-Q200
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 30,87 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
24 нМ Неэкранированный многослойный индуктор 160 мА 2,2 Ом макс. 0201 (метрика 0603)
Технические параметры
| PPAP | Unknown |
| Type | RF Chip |
| Ratings | AEC-Q200 |
| Mounting | Surface Mount |
| Q @ Freq | 16 @ 500MHz |
| Case Size | 0201 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Shielding | Unshielded |
| Tolerance | 3% |
| Automotive | Yes |
| Inductance | 24 nH |
| Technology | Multi-Layer |
| Вес, г | 0.06 |
| Серия | 603 |
| Part Status | Active |
| Core Material | Ceramic |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Inductance (H) | 0.024u |
| Package / Case | 0201(0603 Metric) |
| Material - Core | Ceramic, Non-Magnetic |
| Protection Style | Unshielded |
| DC Resistance (DCR) | 2.2Ohm Max |
| Number of Terminals | 2 |
| Типоразмер | 0201 |
| Current Rating (Amps) | 160 mA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 125°C |
| Maximum DC Current (A) | 0.16 |
| Minimum Quality Factor | 16 |
| Особенности | высокочастотная, AEC-Q200 |
| Supplier Device Package | 0201(0603 Metric) |
| Frequency - Self Resonant | 2.1GHz |
| Maximum Product Depth (mm) | 0.4 |
| Inductance Frequency - Test | 500 MHz |
| Maximum DC Resistance (Ohm) | 2.2 |
| Maximum Product Height (mm) | 0.4 |
| Maximum Product Length (mm) | 0.7 |
| Quality Test Frequency (Hz) | 500M |
| Способ монтажа | SMD/SMT |
| Inductance Test Frequency (Hz) | 500M |
| Длина корпуса,мм | 1.6 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 125 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Minimum Self Resonant Frequency (Hz) | 2100M |
| Рабочая температура,С | -55…+125 |
| Активное сопротивление,Ом | 2.2 |
| Диаметр (ширина)корпуса,мм | 0.3 |
| Максимальный постоянный ток,мА | 160 |
| Номинальная индуктивность, мкГн | 0.024 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 3 |