Моя заявка (0)
MCR708A1G, Тиристор

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015483222
Артикул
MCR708A1G
Бренд
Littelfuse
Tab
Tab
Case
DPAK
ECCN
EAR99
PPAP
No
Цена по запросу
(от 94,68 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Комплектные тиристорные устройства (SCR) 600V 4A

Технические параметры

TabTab
CaseDPAK
ECCNEAR99
PPAPNo
RoHSDetails
TypeSCR
BrandLittelfuse
HTSUS8541.30.0080
Width2.38 mm
Height6.35 mm
Length6.73 mm
SeriesMCR708A
ТипSCR
EU RoHSCompliant
PackageTube
MountingSMD
SCR TypeSensitive Gate
ECCN (US)EAR99
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г0.33
Длина6.73 mm
СерияMCR708A
PCB changed3
Part StatusActive
RoHS StatusROHS3 Compliant
Gate current75µA
Load current2.6A
ManufacturerLITTELFUSE
Turn-on time2µs
Высота6.35 mm
Ширина2.38 mm
Mounting TypeThrough Hole
Phase ControlNo
Current Rating2.6 A
Mounting StyleThrough Hole
Package / CaseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Kind of packagereel, tape
Product CategorySCRs
Supplier PackageIPAK
УпаковкаTube
Max. load current4A
Type of thyristorthyristor
California Prop 65Warning Information
Base Product NumberMCR708A ->
Voltage - Off State600V
Vf - Forward Voltage2.2 V
Factory Pack Quantity75
Operating Temperature-40В°C ~ 110В°C
Вид монтажаThrough Hole
Holding Current Ih Max5 mA
Max. off-state voltage0.6kV
Supplier Device PackageI-PAK
Тип продуктаSCRs
RMS On-State Current (A)4
Surge Current Rating (A)35
ПодкатегорияThyristors
Breakover Current IBO Max35 A
Current - Hold (Ih) (Max)5mA
Current - Off State (Max)10ВµA
Peak On-State Voltage (V)2.2@8.2A
Gate Trigger Current - Igt0.075 mA
Gate Trigger Voltage - Vgt0.8 V
Торговая маркаLittelfuse
Упаковка / блокDPAK-3-3
Max. forward impulse current35A
Maximum Holding Current (mA)5
Maximum Operating Temperature+110 C
Minimum Operating Temperature-40 C
On-State RMS Current - It RMS4 A
Номинальный ток2.6 A
Voltage - On State (Vtm) (Max)2.2V
Non Repetitive On-State Current35 A
Peak Gate Power Dissipation (W)0.5
Maximum Gate Trigger Voltage (V)0.8
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Features of semiconductor devicesglass passivated
Maximum Gate Peak Inverse Voltage18 V
Maximum Gate Trigger Current (mA)0.075
Average Gate Power Dissipation (W)0.1
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)75ВµA
Current - On State (It (AV)) (Max)1.6A
Rated Average On-State Current (A)2.6
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max)800mV
Circuit Fusing Consideration (A²S)2.6
Current - On State (It (RMS)) (Max)4A
Maximum Operating Temperature (°C)110
Minimum Operating Temperature (°C)-40
Repetitive Peak Reverse Voltage (V)600
Категория продуктаКомплектные тиристорные устройства (SCR)
Maximum Gate Peak Inverse Voltage (V)18
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM0.01 mA
Repetitive Peak Off-State Current (mA)0.01
Vf - прямое напряжение2.2 V
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM600 V
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)25A @ 60Hz
Ток включения (IBO), макс.35 A
Repetitive Peak Forward Blocking Voltage (V)600
Maximum Rate of Rise of On-State Current (A/us)100
Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage (V/us)10(Typ)
Размер фабричной упаковки4000
Максимальный ток удержания Ih5 mA
Отпирающий ток управления - Igt0.075 mA
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 110 C
Отпирающее напряжение управления - Vgt800 mV
Ток утечки в закрытом состоянии @ VDRM IDRM10 uA
Неповторяющийся ток в открытом состоянии35 A
Максимальное обратное напряжение затвора18 V
Действующее значение тока во включенном состоянии - It RMS4 A
Номинальное периодическое напряжение в закрытом состоянии (VDRM)600 V

Техническая документация