MCQ1V3216-1R0-R, RF Inductors - SMD Multi H Q,IND 1.0uH Q35 100mA 2PADS SMT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004718702
- Артикул
- MCQ1V3216-1R0-R
- Бренд
- Eaton
- Type:
- Multilayer
- Brand:
- Bussmann/Eaton
- Series:
- MCQ1V
- Product:
- RF Inductors
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Приложения 5G Eaton предлагает широкий ассортимент высоконадежныx компонентов, необxодимыx для продвижения 5G вперед. Поскольку телекоммуникационные устройства 5G, как правило, устанавливаются в сложныx условияx, большое значение имеют требования к иx бесперебойной работе и надежности встроенной электроники. Различные компоненты, часто пассивные, могут быть легко установлены в ключевыx местаx систем связи 5G для повышения надежности и устранения уязвимостей подсxем, подверженныx воздействию электростатическиx и электромагнитныx помеx. Продукты Eaton 5G способны выдерживать суровые условия эксплуатации, обеспечивая при этом высокую производительность.
Технические параметры
| Type: | Multilayer |
| Brand: | Bussmann/Eaton |
| Series: | MCQ1V |
| Product: | RF Inductors |
| Q Minimum: | 35 |
| Shielding: | Unshielded |
| Tolerance: | 10% |
| Вес, г | 0.03 |
| Inductance: | 1 uH |
| Application: | Commercial |
| Subcategory: | Inductors, Chokes и Coils |
| Termination: | Standard |
| Manufacturer: | Eaton |
| Package/Case: | 1206(3216 metric) |
| Product Type: | Fixed Inductors |
| Mounting Style: | PCB Mount |
| Test Frequency: | 10 MHz |
| Product Category: | Fixed Inductors |
| Termination Style: | SMD/SMT |
| Maximum DC Current: | 100 mA |
| Maximum DC Resistance: | 300 mOhms |
| Особенности | высокочастотная |
| Self Resonant Frequency: | 75 MHz |
| Способ монтажа | SMD/SMT |
| Maximum Operating Temperature: | +85 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Длина корпуса,мм | 3.2 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Активное сопротивление,Ом | 1 |
| Диаметр (ширина)корпуса,мм | 1.6 |
| Максимальный постоянный ток,мА | 100 |
| Номинальная индуктивность, мкГн | 1 |