MBR400100CT, Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 400A100P/70
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006207008
- Артикул
- MBR400100CT
- Бренд
- GENESIC SEMICONDUCTOR
- Speed
- Fast Recovery =< 500ns, > 200mA(Io)
- Technology
- Schottky
- Вес, г
- 100
- Серия
- MBR400
Цена по запросу
(от 21 490 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Диодная матрица 1 Пара с общим катодом 100 В 200А Для установки на шасси Twin Tower
Технические параметры
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA(Io) |
| Technology | Schottky |
| Вес, г | 100 |
| Серия | MBR400 |
| Корпус | Twin Tower |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Twin Tower |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 mA @ 20 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840 mV @ 200 A |
| Конфигурация диода | Общий катод, 1-пара |
| Кол-во диодов в корпусе | 2 |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A |
| Обратный ток утечки, мкА | 5000 |
| Материал полупроводника | Кремний |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 0.84 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 100 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 400 |