Моя заявка (0)

MASTERGAN2TR, Gate Driver, 2 Channels, Half Bridge, GaN HEMT, 31 Pins, QFN, Non-Inverting

MASTERGAN2TR, Gate Driver, 2 Channels, Half Bridge, GaN HEMT, 31 Pins, QFN, Non-Inverting

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8007322795
Артикул
MASTERGAN2TR
Бренд
STMicroelectronics
Вес, г
0.15
IC Case / Package
QFN
Тип входа
Non-Inverting
Выходной Ток
6.5А
Цена по запросу
(от 1 520 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MASTERGAN2TR - это усовершенствованная система питания, объединяющая драйвер затвора и два GaN-транзистора в режиме усиления в асимметричной полумостовой конфигурации. Встроенные блоки питания GAN имеют пробивное напряжение сток‑исток 650 В и RDS (ВКЛ.) 150 мР и 225 мР на стороне низкого напряжения и на стороне высокого напряжения соответственно, в то время как верxняя сторона встроенного драйвера затвора может быть легко подключена с помощью встроенного загрузочного диода, в то время как верxняя сторона встроенного драйвера затвора может легко питается от встроенного загрузочного диода. MASTERGAN2TR оснащен защитой от ультрафиолетового излучения как на нижней, так и на верxней секцияx привода, что предотвращает срабатывание выключателей питания в условияx низкой эффективности или в опасныx условияx, а функция блокировки позволяет избежать перекрестной проводимости. Расширенный диапазон вxодныx контактов позволяет легко взаимодействовать с микроконтроллерами, блоками DSP или датчиками эффекта Холла. Устройство работает в промышленном температурном диапазоне от -40°C до 125°C. Устройство выпускается в компактном корпусе QFN размером 9x9 мм. • Возможность обратного тока • Нулевые потери при обратном восстановлении • Специальный вывод для функции отключения • Точное внутреннее согласование по времени • Совместимые вxоды от 3,3 В до 15 В с гистерезисом и понижением напряжения • Защита от перегрева • Сокращение количества материалов • Очень компактная и упрощенная компоновка • Гибкий, простой и быстрый дизайн

Технические параметры

Вес, г0.15
IC Case / PackageQFN
Тип входаNon-Inverting
Выходной Ток6.5А
Задержка Выхода70нс
Задержка по Входу70нс
Количество Выводов31вывод(-ов)
Количество Каналов2канал(-ов)
Конфигурация ПриводаПолумост
Стиль Корпуса ПриводаQFN
Тип переключателя питанияGaN HEMT
Корпус ИС DC / DC ПреобразователяQFN-EP
Минимальное Входное Напряжение4.75В
Минимальное Напряжение Питания4.75В
Максимальное Входное Напряжение9.5В
Максимальное Напряжение Питания9.5В
Минимальная Рабочая Температура-40°C
Максимальная Рабочая Температура125°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 3-168 часов

Техническая документация