Моя заявка (0)

M95010-WMN6TP, EEPROM, 1 Kbit, 128 x 8bit, SPI, 10 MHz, NSOIC, 8 Pins

M95010-WMN6TP, EEPROM, 1 Kbit, 128 x 8bit, SPI, 10 MHz, NSOIC, 8 Pins

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001663850
Артикул
M95010-WMN6TP
Бренд
STMicroelectronics
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.32.0051
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Interfaces
Serial SPI
Цена по запросу
(от 73 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

EEPROM от 2,5 В до 5,5 В 1 кб

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8542.32.0051
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
InterfacesSerial SPI
TechnologyEEPROM
Вес, г0.25
Длина5 mm (Max)
Серия1Kbit SPI Serial EEPROM
Memory Size1Kb (128 x 8)
Memory TypeNon-Volatile
RoHS StatusROHS3 Compliant
REACH StatusREACH Unaffected
Высота1.65 mm (Max)
КорпусNSOIC
Ширина4 mm (Max)
Memory FormatEEPROM
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-SOIC (0.154"", 3.90mm Width)
Clock Frequency20MHz
Memory InterfaceSPI
Voltage - Supply2.5V ~ 5.5V
IC Case / PackageNSOIC
Интерфейсspi
Base Product NumberM95010 ->
Тип памятиEEPROM
Memory Configuration128x8bit
Operating Temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
Вид монтажаSMD/SMT
Организация128 x 8
Supplier Device Package8-SO
Объем памяти1Кбит
Тип продуктаEEPROM
ПодкатегорияMemory Data Storage
Время доступа35 ns
Размер Памяти1Кбит
Тип интерфейсаSerial, 4-Wire, SDI, SPI
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокSOIC-8
Write Cycle Time - Word, Page5ms
Тактовая Частота10МГц
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Линейка Продукции1Kbit SPI Serial EEPROM
Монтаж МикросхемыSMD(Поверхностный Монтаж)
Сохранение данных40 Year
Категория продуктаEEPROM
Количество Выводов8вывод(-ов)
Напряжение питания, В5.5
Тип интерфейса памятиSerial SPI
Конфигурация Памяти EEPROM128x8бит
Напряжение питания - мин.2.5 V
Напряжение питания - макс.2 mA, 5.5 V
Размер фабричной упаковки2500
Рабочее напряжение питания3.3 V, 5 V
Программирующее напряжение2.5 V to 5.5 V
Рабочий ток источника питания2 mA
Максимальная Тактовая Частота10МГц
Минимальное Напряжение Питания2.5В
Стиль Корпуса Микросхемы ПамятиNSOIC
Максимальное Напряжение Питания5.5В
Минимальная Рабочая Температура-40°C
Максимальная Рабочая Температура85°C
Максимальная тактовая частота (скорость)10мгц
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный

Техническая документация