Моя заявка (0)

M24128-BWMN6TP, Интегральная микросхема памяти EEPROM SO8-150-1.27

M24128-BWMN6TP, Интегральная микросхема памяти EEPROM SO8-150-1.27

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014886568
Артикул
M24128-BWMN6TP
Бренд
STMicroelectronics
PPAP
No
Density
128 Kb
Mounting
Surface Mount
ECCN (US)
EAR99
Цена по запросу
(от 39,85 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Интегральная микросхема памяти EEPROM SO8-150-1.27 Характеристики Категория Микросхема Тип памяти Вид EEPROM

Технические параметры

PPAPNo
Density128 Kb
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.24
Lead FinishGold
PCB changed8
Part StatusNRND
Organization16Kx8
Корпусso8
Interface TypeSerial-I2C
ProgrammabilityYes
Screening LevelIndustrial
Supplier PackageSO N
Chip Density (bit)128K
Max Processing Temp260
Programming Voltage2.5 to 5.5 V
Тип памятиEEPROM
Data Retention (Year)200(Min)
Max. Access Time (ns)450
Operating Temperature-40 to 85 °C
Standard Package NameSO
Operating Current (mA)2.5
Programming Voltage (V)2.5 to 5.5
Hardware Data ProtectionYes
Maximum Operating Current2 mA
Maximum Random Access Time900 ns
Supplier Temperature GradeIndustrial
Maximum Operating Frequency0.4 MHz
Number of Bits per Word (bit)8
Maximum Operating Supply Voltage5.5 V
Minimum Operating Supply Voltage2.5 V
Typical Operating Supply Voltage3.3I5 V
Maximum Operating Frequency (MHz)1
Maximum Operating Temperature (°C)85
Minimum Operating Temperature (°C)-40
Maximum Operating Supply Voltage (V)5.5
Minimum Operating Supply Voltage (V)2.5
Typical Operating Supply Voltage (V)3.3|5

Техническая документация