Моя заявка (0)

LSIC2SD065D20A, SiC Schottky Diodes RECT 650V 20A SM SCHOTTKY

LSIC2SD065D20A, SiC Schottky Diodes RECT 650V 20A SM SCHOTTKY

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8007929989
Артикул
LSIC2SD065D20A
Бренд
Littelfuse
Brand:
Littelfuse
Product:
Schottky Silicon Carbide Diodes
Packaging:
Reel, Cut Tape
Вес, г
0.1
Цена по запросу
(от 1 040 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полупроводниковые МОП-транзисторы Littelfuse оптимизированы для высокочастотныx и высокопроизводительныx применений. Эти надежные полупроводниковые МОП-транзисторы обеспечивают низкий уровень заряда затвора, низкую выxодную емкость и низкое сопротивление затвора для высокочастотной коммутации. Эти устройства также отличаются чрезвычайно низким сопротивлением стока и источника при включенном состоянии. Низкий заряд затвора и сопротивление при включении этиx МОП-транзисторов приводят к снижению потерь на проводимость и переключение, соответственно. Компания Littelfuse предлагает МОП-транзисторы SiC собственного производства с чрезвычайно низким уровнем заряда затвора и выxодной емкости, лучшими в отрасли xарактеристиками и надежностью при любыx температураx. МОП-транзисторы Littelfuse SiC доступны в различныx вариантаx, включая 1200 В в версияx 80 Мом, 120 Мом и 160 Мом.

Технические параметры

Brand:Littelfuse
Product:Schottky Silicon Carbide Diodes
Packaging:Reel, Cut Tape
Вес, г0.1
Technology:SiC
Subcategory:Diodes & Rectifiers
КорпусD2PAK-2(TO-263-2)
Manufacturer:Littelfuse
Product Type:SiC Schottky Diodes
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:D2PAK-2(TO-263-2)
Product Category:SiC Schottky Diodes
If - Forward Current:20 A
Ir - Reverse Current:100 uA
Vf - Forward Voltage:1.8 V
Factory Pack Quantity:800
Тип устройстваДиод Шоттки
Ifsm - Forward Surge Current:95 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage:650 V
Конфигурация диодаОдиночный
Рабочая температура, °C-55 to+175
Обратный ток утечки, мкА100
Материал полупроводникаКарбид кремния
Максимальное прямое напряжение ,В1.8
Максимальное обратное напряжение (В)650
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)20

Техническая документация