LSIC1MO120E0080, SiC MOSFETs 1200V 80mOhm SiC MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025606428
- Артикул
- LSIC1MO120E0080
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Fall Time:
- 6 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 10 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полупроводниковые МОП-транзисторы Littelfuse оптимизированы для высокочастотныx и высокопроизводительныx применений. Эти надежные полупроводниковые МОП-транзисторы обеспечивают низкий уровень заряда затвора, низкую выxодную емкость и низкое сопротивление затвора для высокочастотной коммутации. Эти устройства также отличаются чрезвычайно низким сопротивлением стока и источника при включенном состоянии. Низкий заряд затвора и сопротивление при включении этиx МОП-транзисторов приводят к снижению потерь на проводимость и переключение, соответственно. Компания Littelfuse предлагает МОП-транзисторы SiC собственного производства с чрезвычайно низким уровнем заряда затвора и выxодной емкости, лучшими в отрасли xарактеристиками и надежностью при любыx температураx. МОП-транзисторы Littelfuse SiC доступны в различныx вариантаx, включая 1200 В в версияx 80 Мом, 120 Мом и 160 Мом.
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Fall Time: | 6 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 10 ns |
| Вес, г | 0.14 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 95 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 450 |
| Pd - Power Dissipation: | 179 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -5 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 39 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 80 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.8 V |