Моя заявка (0)
LQW2BANR16J00L, 930mA 160nH ±5% 0805 Power Inductors ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044551797
Артикул
LQW2BANR16J00L
Бренд
Murata Electronics
ECCN
EAR99
Type
Wirewound
HTSUS
8504.50.8000
Type:
Wirewound
Цена по запросу
(от 45 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Катушка индуктивности с неэкранированной обмоткой емкостью 160 Нм, 930 мА, 460 Мом макс. 0805 (метрика 2015 года)

Технические параметры

ECCNEAR99
TypeWirewound
HTSUS8504.50.8000
Type:Wirewound
Brand:Murata Electronics
SeriesLQW2 ->
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Product:RF Inductors
Q @ Freq53 @ 250MHz
ShieldingUnshielded
ToleranceВ±5%
Inductance160nH
Q Minimum:58
Shielding:Unshielded
Tolerance:5%
Вес, г0.01
СерияLQW
Inductance:160 nH
RoHS StatusROHS3 Compliant
Application:RF
Subcategory:Inductors, Chokes & Coils
Termination:Standard
Manufacturer:Murata
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:RF Inductors-Leaded
Core Material:Ferrite
Package / Case0805 (2015 Metric)
Material - CoreNon-Magnetic
Mounting Style:PCB Mount
Size / Dimension0.082"" L x 0.060"" W (2.09mm x 1.53mm)
Product Category:RF Inductors-SMD
Termination Style:SMD/SMT
Base Product NumberLQW2BAN ->
DC Resistance (DCR)460mOhm Max
Maximum DC Current:930 mA
Типоразмер0805
Current Rating (Amps)930mA
Height - Seated (Max)0.060"" (1.52mm)
Operating Temperature-55В°C ~ 125В°C
Factory Pack Quantity:2000
Maximum DC Resistance:460 mOhms
Особенностисиловая, высокочастотная, высокая добротность(High-Q), проволочная, RoHS
Self Resonant Frequency:920 MHz
Frequency - Self Resonant920MHz
Inductance Frequency - Test100MHz
Способ монтажаSMD/SMT
Maximum Operating Temperature:+125 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Длина корпуса,мм2
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Рабочая температура,С-55…+125
Активное сопротивление,Ом460мОм
Диаметр (ширина)корпуса,мм1.53
Максимальный постоянный ток,мА930
Номинальная индуктивность, мкГн0.16
Допуск номинальной индуктивности,%5

Техническая документация