LQW2BAN51NG00L, Inductor: wire; SMD; 0805; 51nH; 1800mA; 0.11?; 1100MHz; ±2%; Q: 75
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8043236943
- Артикул
- LQW2BAN51NG00L
- Бренд
- Murata Electronics
- Type:
- Wirewound
- Brand:
- Murata Electronics
- Product:
- RF Inductors
- Q Minimum:
- 75
Цена по запросу
(от 44 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высокочастотные катушки индуктивности Murata Electronics LQW2BA представляют собой горизонтальные катушки индуктивности с проволочной обмоткой в корпусе размером 0805 мм. Эти устройства имеют диапазон индуктивности от 2,7нМ до 1 мкГн, номинальный ток от 180 мА до 910 мА, максимальное сопротивление постоянному току 2,4 Ом, минимальную добротность 23 и минимальную частоту саморезонанса 230 МГц. Катушки индуктивности на чипе Murata Electronics LQW2BA имеют диапазон рабочиx температур от -55°C до +125°C.
Технические параметры
| Type: | Wirewound |
| Brand: | Murata Electronics |
| Product: | RF Inductors |
| Q Minimum: | 75 |
| Shielding: | Unshielded |
| Tolerance: | 2% |
| Вес, г | 0.01 |
| Серия | LQW |
| Inductance: | 51 nH |
| Application: | RF |
| Subcategory: | Inductors, Chokes & Coils |
| Termination: | Standard |
| Manufacturer: | Murata |
| Product Type: | RF Inductors-Leaded |
| Core Material: | Ferrite |
| Mounting Style: | PCB Mount |
| Product Category: | RF Inductors-SMD |
| Termination Style: | SMD/SMT |
| Maximum DC Current: | 1.8 A |
| Типоразмер | 0805 |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Maximum DC Resistance: | 110 mOhms |
| Особенности | высокочастотная, высокая добротность(High-Q) |
| Self Resonant Frequency: | 1.1 GHz |
| Добротность,Q | 75 |
| Способ монтажа | SMD/SMT |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Длина корпуса,мм | 2 |
| Рабочая температура,С | -55…+125 |
| Диаметр (ширина)корпуса,мм | 1.53 |
| Максимальный постоянный ток,мА | 1800 |
| Номинальная индуктивность, мкГн | 0.051 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 2 |