LQW15AN43NG00D, RF Inductors - SMD 43 NH 2%
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8027001532
- Артикул
- LQW15AN43NG00D
- Бренд
- Murata Electronics
- Q
- 25
- HTS
- 8504.50.80.00
- Type
- RF Chip
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 13 ₽)
Минимальный заказ: 10000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Дроссель SMD040210X05мм
Технические параметры
| Q | 25 |
| HTS | 8504.50.80.00 |
| Type | RF Chip |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| Case Size | 0402 |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Impedance | Not Required(ohm) |
| Packaging | Tape and Reel |
| Shielding | Unshielded |
| Tolerance | 2% |
| DC Current | 250(mA) |
| Inductance | 0.043(uH) |
| Technology | Wirewound |
| Вес, г | 0.01 |
| Серия | LQW |
| Part Status | Active |
| Failure Rate | Not Required |
| Rad Hardened | No |
| корпус | SMD040210X05MM |
| Core Material | Non Magnetic |
| DC Resistance | 0.7(ohm) |
| Inductance (H) | 0.043u |
| Test Frequency | 100(MHz) |
| Protection Style | Unshielded |
| Military Standard | Not Required |
| Product Depth (mm) | 0.6 |
| Tolerance (+ or -) | 2% |
| Number of Terminals | 2 |
| Product Height (mm) | 0.6 |
| Product Length (mm) | 1.1 |
| Operating Temp Range | -55C to 125C |
| Product Diameter (mm) | Not Required(mm) |
| Maximum DC Current (A) | 0.25 |
| Minimum Quality Factor | 25 |
| Особенности | высокочастотная, высокая добротность(High-Q) |
| Self Resonant Frequency | 3000(MHz) |
| Добротность,Q | 25 |
| Maximum DC Resistance (Ohm) | 0.7 |
| Quality Test Frequency (Hz) | 250M |
| Способ монтажа | SMD/SMT |
| Inductance Test Frequency (Hz) | 100M |
| Длина корпуса,мм | 1 |
| кол-во в упаковке | 10000 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 125 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Minimum Self Resonant Frequency (Hz) | 3000M |
| Рабочая температура,С | -55…+125 |
| Активное сопротивление,Ом | 700мОм |
| Диаметр (ширина)корпуса,мм | 0.6 |
| Максимальный постоянный ток,мА | 250 |
| Номинальная индуктивность, мкГн | 0.043 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 2 |