Моя заявка (0)

LQP03TNR12JZ2D, Inductor RF Chip Unshielded Thick Film 0.12uH 5% 300MHz 8Q-Factor 0.08A 12Ohm DCR 0201 T/R Automotive AEC-Q200

LQP03TNR12JZ2D, Inductor RF Chip Unshielded Thick Film 0.12uH 5% 300MHz 8Q-Factor 0.08A 12Ohm DCR 0201 T/R Automotive AEC-Q200

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002248792
Артикул
LQP03TNR12JZ2D
Бренд
Murata Electronics
Type:
Thin Film
Brand:
Murata Electronics
Product:
RF Inductors
Q Minimum:
8
Цена по запросу
(от 11 ₽)
Минимальный заказ: 2942 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные индукторы Murata Automotive Chip Inductors разработаны таким образом, чтобы в полной мере использовать различные теxнологии изготовления небольшиx высокопроизводительныx катушек индуктивности. Эти теxнологии включают в себя многослойные конструкции, пленочные конструкции и конструкции с намоткой проволоки. Компания Murata предлагает обширную линейку катушек индуктивности для высокочастотныx источников питания.

Технические параметры

Type:Thin Film
Brand:Murata Electronics
Product:RF Inductors
Q Minimum:8
Shielding:Unshielded
Tolerance:5%
Вес, г0.06
Серияlqp03tn
Inductance:120 nH
Application:RF
Subcategory:Inductors, Chokes & Coils
Termination:Standard
Manufacturer:Murata
Product Type:RF Inductors-Leaded
Core Material:Ferrite
Qualification:AEC-Q200
Case Code - in:0201
Case Code - mm:0603
Mounting Style:PCB Mount
Package / Case:0201(0603 metric)
Test Frequency:500 MHz
Product Category:RF Inductors-SMD
Termination Style:SMD/SMT
Maximum DC Current:80 mA
Типоразмер0201
Factory Pack Quantity:15000
Maximum DC Resistance:12 Ohms
Особенностиэкранированная, неэкранированная, высокочастотная, высокая добротность(High-Q), плёночная, AEC-Q200
Self Resonant Frequency:800 MHz
Добротность,Q8
Способ монтажаSMD/SMT
Maximum Operating Temperature:+125 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Длина корпуса,мм0.6
Рабочая температура,С-55…+125
Активное сопротивление,Ом12
Диаметр (ширина)корпуса,мм0.3
Максимальный постоянный ток,мА80
Номинальная индуктивность, мкГн0.12
Допуск номинальной индуктивности,%5