Моя заявка (0)
LQP03TN20NH02D, Дроссель: film; SMD; 0201; 20нГн; 150мА; 2,3Ом; Q: 12; 2200МГц; ±3%

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017607337
Артикул
LQP03TN20NH02D
Бренд
Murata Electronics
Q
12
Type
RF Chip
Type:
Thin Film
Brand:
Murata Electronics
Цена по запросу
(от 2,50 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Радиочастотный чип-катушка индуктивности с неэкранированной тонкой пленкой 0,02 Мкм 3% 500 МГц 12Q-фактор Немагнитный 0,15 A 2,3 Ом DCR 0201 T/ R

Технические параметры

Q12
TypeRF Chip
Type:Thin Film
Brand:Murata Electronics
Product:RF Inductors
Case Size0201
PackagingTape and Reel
ShieldingUnshielded
DC Current150(mA)
Inductance0.02(uH)
Q Minimum:12
Shielding:Unshielded
TechnologyThick Film
Tolerance:3%
Вес, г0.01
Серияlqp03tn
Inductance:20 nH
Application:RF
Failure RateNot Required
Rad HardenedNo
Subcategory:Inductors, Chokes & Coils
Termination:Standard
Core MaterialNON MAGNETIC
DC Resistance2.3(ohm)
Manufacturer:Murata
Package/Case:0201(0603 metric)
Product Type:RF Inductors-Leaded
Core Material:Ferrite
Test Frequency500(MHz)
Case Code - in:0201
Case Code - mm:0603
Mounting Style:PCB Mount
Military StandardNot Required
Product Category:RF Inductors-SMD
Product Depth (mm)0.33(mm)
Termination Style:SMD/SMT
Tolerance (+ or -)3%
Maximum DC Current:150 mA
Number of Terminals2
Product Height (mm)0.33(mm)
Product Length (mm)0.63(mm)
Operating Temp Range-55C to 125C
Типоразмер0201
Product Diameter (mm)Not Required(mm)
Factory Pack Quantity:15000
Maximum DC Resistance:2.3 Ohms
Особенностисиловая, высокочастотная, высокая добротность(High-Q), плёночная, AEC-Q200
Self Resonant Frequency2200(MHz)
Self Resonant Frequency:2.2 GHz
Добротность,Q12
Способ монтажаSMD/SMT
Maximum Operating Temperature:+125 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Длина корпуса,мм0.6
Рабочая температура,С-55…+125
Активное сопротивление,Ом2.3
Диаметр (ширина)корпуса,мм0.3
Максимальный постоянный ток,мА150
Номинальная индуктивность, мкГн0.02
Допуск номинальной индуктивности,%3

Техническая документация