Моя заявка (0)
LQP03HQ5N1H02D, Inductor RF Chip Unshielded Thick Film 0.0051uH 3% 500MHz 20Q-Factor 0.4A 0.25Ohm DCR 0201 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002249172
Артикул
LQP03HQ5N1H02D
Бренд
Murata Electronics
Type
Thick Film
Type:
Thin Film
Brand:
Murata Electronics
Military
No
Цена по запросу
(от 12 ₽)
Минимальный заказ: 15000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Высокочастотный чип индуктивности, неэкранированный тонкой пленкой, 0,0051 Мкм, 3%, 500 МГц, 20Q-Фактор, 0,4 A, 0,25 Ом, DCR 0201 T/R

Технические параметры

TypeThick Film
Type:Thin Film
Brand:Murata Electronics
MilitaryNo
Product:RF Inductors
Q @ Freq20 @ 500MHz
Case Size0201
PackagingTape and Reel
ShieldingUnshielded
Tolerance3%
AutomotiveNo
Inductance5.1 nH
Q Minimum:20
Shielding:Unshielded
Tolerance:3%
Вес, г0.06
СерияNS
Inductance:5.1 nH
Application:RF
Subcategory:Inductors, Chokes & Coils
Termination:Standard
Manufacturer:Murata
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:0201(0603 metric)
Product Type:RF Inductors-Leaded
Core Material:Ferrite
Package / Case0201(0603 Metric)
Material - CoreNon-Magnetic
Mounting Style:PCB Mount
Part # Aliases:EKDMGN010-KIT
Inductance - (H)0.0051u
Product Category:RF Inductors-SMD
Termination Style:SMD/SMT
DC Resistance (DCR)250mOhm Max
Maximum DC Current:400 mA
Product Depth - (mm)0.33
Current Rating (Amps)400 mA
Operating Temperature-55°C ~ 125°C
Product Height - (mm)0.42
Product Length - (mm)0.63
Factory Pack Quantity:15000
Maximum DC Resistance:250 mOhms
Minimum Quality Factor20
Supplier Device Package0201(0603 Metric)
Maximum DC Current - (A)0.4
Self Resonant Frequency:5.5 GHz
Frequency - Self Resonant5.5GHz
Inductance Frequency - Test500 MHz
Maximum DC Resistance - (Ohm)0.25
Operating Temperature - (??C)-55~125
Maximum Operating Temperature:+125 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Inductance Test Frequency - (Hz)500M
Minimum Self Resonant Frequency - (Hz)5500M
Номинальная индуктивность, мкГн0.0051
Допуск номинальной индуктивности,%3

Техническая документация