LQM21PN4R7MGRD, (4.7uH 600mA), Многослойная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 4,7мкГн +20% 800мА 0,288Ом по постоянному току
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031774745
- Артикул
- LQM21PN4R7MGRD
- Бренд
- Murata Electronics
- HTS
- 8504.50.80.00
- Type
- Power Chip
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 6,60 ₽)
Минимальный заказ: 46 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 4,7мкГн +20% 800мА 0,288Ом по постоянному току
Технические параметры
| HTS | 8504.50.80.00 |
| Type | Power Chip |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| Case Size | 0805 |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Shielding | Shielded |
| Tolerance | 20% |
| DC Current | 800(mA) |
| Inductance | 4.7(uH) |
| Technology | Multi-Layer |
| Вес, г | 0.05 |
| Серия | lqm21p |
| Part Status | Active |
| Failure Rate | Not Required |
| Rad Hardened | No |
| Корпус | 0805 |
| Core Material | Ferrite |
| DC Resistance | 0.288(ohm) |
| Inductance (H) | 4.7u |
| Test Frequency | 1(MHz) |
| Protection Style | Shielded |
| Military Standard | Not Required |
| Product Depth (mm) | 1.4 |
| Tolerance (+ or -) | 20% |
| Number of Terminals | 2 |
| Product Height (mm) | 1 |
| Product Length (mm) | 2.15 |
| Operating Temp Range | -55C to 125C |
| Product Diameter (mm) | Not Required(mm) |
| Maximum DC Current (A) | 0.8 |
| Особенности | многослойная, ферритовый сердечник |
| Self Resonant Frequency | 30(MHz) |
| Maximum DC Resistance (Ohm) | 0.288 |
| Способ монтажа | SMD/SMT |
| Inductance Test Frequency (Hz) | 1M |
| Длина корпуса,мм | 2 |
| кол-во в упаковке | 4000 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 125 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Minimum Self Resonant Frequency (Hz) | 30M |
| Рабочая температура,С | -55…+125 |
| Активное сопротивление,Ом | 0.288 |
| Диаметр (ширина)корпуса,мм | 1.2 |
| Максимальный постоянный ток,мА | 600 |
| Номинальная индуктивность, мкГн | 4.7 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 20 |