Моя заявка (0)

LQM21NNR47K10D, (470nH 200mA), Многослойная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 470нГн +10% 200мА 0,57Ом по постоянному току

LQM21NNR47K10D, (470nH 200mA), Многослойная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 470нГн +10% 200мА 0,57Ом по постоянному току

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8945195394
Артикул
LQM21NNR47K10D
Бренд
Murata Electronics
Q
25
HTS
8504.50.80.00
Type
General Purpose Chip
EU RoHS
Compliant
Цена по запросу
(от 5,10 ₽)
Минимальный заказ: 82 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 470нГн +10% 200мА 0,57Ом по постоянному току

Технические параметры

Q25
HTS8504.50.80.00
TypeGeneral Purpose Chip
EU RoHSCompliant
Case Size0805
ECCN (US)EAR99
ImpedanceNot Required(ohm)
PackagingTape and Reel
ShieldingShielded
Tolerance10%
DC Current200(mA)
Inductance0.47(uH)
TechnologyMulti-Layer
Вес, г0.01
Серияlqm21n
Part StatusActive
Failure RateNot Required
Rad HardenedNo
Корпус0805
Core MaterialFerrite
DC Resistance0.57(ohm)
Inductance (H)0.47u
Test Frequency25(MHz)
Protection StyleShielded
Military StandardNot Required
Case Size (Inches)0805
Product Depth (mm)1.45
Tolerance (+ or -)10%
Number of Terminals2
Product Height (mm)1.05
Product Length (mm)2.2
Operating Temp Range-40C to 85C
Product Diameter (mm)Not Required(mm)
Maximum DC Current (A)0.2
Minimum Quality Factor25
Особенностимногослойная, ферритовый сердечник
Self Resonant Frequency150(MHz)
Добротность,Q25
Maximum DC Resistance (Ohm)0.57
Quality Test Frequency (Hz)25M
Способ монтажаSMD/SMT
Inductance Test Frequency (Hz)25M
Maximum Saturation Current (A)0.2
Длина корпуса,мм2
кол-во в упаковке4000
Maximum Operating Temperature (°C)85
Minimum Operating Temperature (°C)-40
Minimum Self Resonant Frequency (Hz)150M
Рабочая температура,С-40…85
Активное сопротивление,Ом0.57
Диаметр (ширина)корпуса,мм1.25
Максимальный постоянный ток,мА200
Номинальная индуктивность, мкГн0.47
Допуск номинальной индуктивности,%10

Техническая документация