LQM21NNR33K10D, (330nH 250mA), Многослойная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 330нГн +10% 250мА 0,48Ом по постоянному току

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000818925
- Артикул
- LQM21NNR33K10D
- Бренд
- Murata Electronics
- Q
- 20
- Type
- RF Chip
- Series
- LQM21N
- Case Size
- 0805
Цена по запросу
(от 7,29 ₽)
Минимальный заказ: 43 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 330нГн +10% 250мА 0,48Ом по постоянному току
Технические параметры
| Q | 20 |
| Type | RF Chip |
| Series | LQM21N |
| Case Size | 0805 |
| Impedance | Not Required(ohm) |
| Packaging | Tape and Reel |
| Shielding | Shielded |
| Tolerance | ±10% |
| DC Current | 250(mA) |
| Inductance | 330 nH |
| Technology | Multi-Layer |
| Вес, г | 0.01 |
| Серия | lqm21n |
| Failure Rate | Not Required |
| Package/Case | 0805(2012M) |
| Rad Hardened | No |
| Корпус | 0805 |
| Core Material | Ferrite |
| DC Resistance | 0.48(ohm) |
| Test Frequency | 25(MHz) |
| Military Standard | Not Required |
| Case Size (Inches) | 0805 |
| Maximum DC Current | 250mA |
| Product Depth (mm) | 1.45(mm) |
| Tolerance (+ or -) | 10% |
| Number of Terminals | 2 |
| Product Height (mm) | 1.05(mm) |
| Product Length (mm) | 2.2(mm) |
| Operating Temp Range | -40C to 85C |
| Inductor Construction | Multilayer |
| Maximum DC Resistance | 480mΩ |
| Product Diameter (mm) | Not Required(mm) |
| Minimum Quality Factor | 20 |
| Особенности | многослойная, ферритовый сердечник |
| Self Resonant Frequency | 180(MHz) |
| Добротность,Q | 20 |
| Способ монтажа | SMD/SMT |
| Maximum Operating Temperature | +85°C |
| Minimum Operating Temperature | -40°C |
| Длина корпуса,мм | 2 |
| Maximum Self Resonant Frequency | 180MHz |
| кол-во в упаковке | 4000 |
| Рабочая температура,С | -40…85 |
| Активное сопротивление,Ом | 0.48 |
| Диаметр (ширина)корпуса,мм | 1.25 |
| Максимальный постоянный ток,мА | 250 |
| Номинальная индуктивность, мкГн | 0.33 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 10 |