Моя заявка (0)

LQM21FN2R2N00D, (2.2uH 150mA), Многослойная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн +30% 150мА 0,28Ом по постоянному току

LQM21FN2R2N00D, (2.2uH 150mA), Многослойная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн +30% 150мА 0,28Ом по постоянному току

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000526328
Артикул
LQM21FN2R2N00D
Бренд
Murata Electronics
ECCN
EAR99
RoHS
Details
Type
Multilayer
Brand
Murata Electronics
Цена по запросу
(от 8,60 ₽)
Минимальный заказ: 37 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн +30% 150мА 0,28Ом по постоянному току

Технические параметры

ECCNEAR99
RoHSDetails
TypeMultilayer
BrandMurata Electronics
HTSUS8504.50.8000
Width1.6 mm
Height1.8 mm
Length3.2 mm
SeriesLQM21 ->
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
ProductPower Inductors
PackagingReel
ShieldingShielded
ToleranceВ±30%
Inductance2.2ВµH
Вес, г0.01
Серияlqm21f
RoHS StatusROHS3 Compliant
Unit Weight0.000194 oz
ManufacturerMurata
Корпус0805
Mounting TypeSurface Mount
Mounting StyleSMD/SMT
Package / Case0805 (2012 Metric)
Material - CoreFerrite
Product CategoryFixed Inductors
Size / Dimension0.079"" L x 0.049"" W (2.00mm x 1.25mm)
Termination StyleSMD/SMT
Maximum DC Current150 mA
Base Product NumberLQM21FN ->
DC Resistance (DCR)364mOhm Max
Current Rating (Amps)150mA
Factory Pack Quantity4000
Height - Seated (Max)0.041"" (1.05mm)
Maximum DC Resistance280 mOhms
Operating Temperature-40В°C ~ 85В°C
Особенностимногослойная, ферритовый сердечник
Self Resonant Frequency80 MHz
Supplier Device Package0805 (2012 Metric)
Frequency - Self Resonant70MHz
Current - Saturation (Isat)150mA
Inductance Frequency - Test1MHz
Способ монтажаSMD/SMT
Длина корпуса,мм2
кол-во в упаковке4000
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Рабочая температура,С-40…85
Активное сопротивление,Ом0.28
Диаметр (ширина)корпуса,мм1.25
Максимальный постоянный ток,мА150
Номинальная индуктивность, мкГн2.2
Допуск номинальной индуктивности,%30

Техническая документация