LQH55DN680M03L, Inductor Power Chip Unshielded Wirewound 68uH 20% 1MHz Ferrite 0.64A 0.938Ohm DCR 2220 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001033627
- Артикул
- LQH55DN680M03L
- Бренд
- Murata Electronics
- Type
- Drum Core, Wirewound
- Series
- LQH55DN_03
- Shielded
- No
- Shielding
- Unshielded
Цена по запросу
(от 68 ₽)
Минимальный заказ: 450 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
INDUCTOR, 2220 CASE, 68чH, 20%; Inductor Type: Chip Coils; Series: LQH55; Inductance: 68чH; Tolerance, Inductance: 20%; Resistance: 0.67ohm; Current, DC Max: 640mA; Frequency, Resonant: 7.6MHz; Case Style: 2220 Номинальная индуктивность 68 мкГн, Номинальный ток 640 мА, Магнитное экранирование нет, Корпус SMD 2220
Технические параметры
| Type | Drum Core, Wirewound |
| Series | LQH55DN_03 |
| Shielded | No |
| Shielding | Unshielded |
| Tolerance | ±20% |
| Inductance | 68 µH |
| Вес, г | 0.06 |
| Серия | LQH |
| Package/Case | 2220(5750M) |
| Корпус | 2220 |
| Core Material | Ferrite |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 2220(5750 Metric) |
| Material - Core | Ferrite |
| Maximum DC Current | 640mA |
| DC Resistance (DCR) | 938mOhm Max |
| Типоразмер | 2220 |
| Current Rating (Amps) | 640 mA |
| Inductor Construction | Wire-Wound |
| Maximum DC Resistance | 938mΩ |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C |
| Особенности | экранированная, неэкранированная, силовая, проволочная, ферритовый сердечник |
| Supplier Device Package | 2220(5650 Metric) |
| Frequency - Self Resonant | 7.6MHz |
| Inductance Frequency - Test | 1 MHz |
| Способ монтажа | SMD/SMT |
| Maximum Operating Temperature | +80°C |
| Minimum Operating Temperature | -40°C |
| Длина корпуса,мм | 5.7 |
| Maximum Self Resonant Frequency | 7.6MHz |
| кол-во в упаковке | 350 |
| Рабочая температура,С | -40…+80 |
| Активное сопротивление,Ом | 0.938 |
| Диаметр (ширина)корпуса,мм | 5 |
| Максимальный постоянный ток,мА | 640 |
| Номинальная индуктивность, мкГн | 68 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 20 |