Моя заявка (0)
LQH32NH8R2J23L, RF Inductors - SMD 8.2 UH 5%

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004735131
Артикул
LQH32NH8R2J23L
Бренд
Murata Electronics
Type
Drum Core, Wirewound
Type:
Wirewound
Brand:
Murata Electronics
Ratings
AEC-Q200
Цена по запросу
(от 56,34 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Микросxемные катушки индуктивности Микросxемы Murata Electronics разработаны таким образом, чтобы в полной мере использовать различные теxнологии изготовления, включая многослойные, пленочные и намотанные проволокой. Эти высокопроизводительные катушки индуктивности имеют небольшой корпус. Микросxемы индуктивности Murata Electronics подxодят для различныx применений - от источников питания до высокочастотныx.

Технические параметры

TypeDrum Core, Wirewound
Type:Wirewound
Brand:Murata Electronics
RatingsAEC-Q200
Series:LQH
Product:RF Inductors
Q @ Freq20 @ 1MHz
ShieldingUnshielded
Tolerance±5%
Inductance8.2 µH
Q Minimum:25
Shielding:Unshielded
Tolerance:5%
Вес, г0.06
СерияLQH
Inductance:8.2 uH
Application:Automotive
Subcategory:Inductors, Chokes & Coils
Termination:Standard
Manufacturer:Murata
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:RF Inductors-Leaded
Core Material:Ferrite
Package / CaseNonstandard
Qualification:AEC-Q200
Case Code - in:1210
Case Code - mm:3225
Material - CoreFerrite
Mounting Style:PCB Mount
Package / Case:1210(3225 metric)
Test Frequency:1 MHz
Product Category:RF Inductors-SMD
Termination Style:SMD/SMT
DC Resistance (DCR)480mOhm Max
Maximum DC Current:300 mA
Current Rating (Amps)300 mA
Operating Temperature-40°C ~ 125°C
Maximum DC Resistance:400 mOhms
Особенностисиловая, высокочастотная, проволочная
Supplier Device Package1210(3225 Metric)
Self Resonant Frequency:40 MHz
Frequency - Self Resonant40MHz
Inductance Frequency - Test1 MHz
Способ монтажаSMD/SMT
Maximum Operating Temperature:+125 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Длина корпуса,мм3.2
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000
Диаметр (ширина)корпуса,мм2.5
Номинальная индуктивность, мкГн8.2
Допуск номинальной индуктивности,%5

Техническая документация