LMG3425R050RQZR, Gate Drivers 600-V 50-m? GaN FET with integrated driv

Описание

Полевые транзисторы Texas Instruments LMG342xR050 600 В 50 Мом GaN LMG342xR050 600 В 50 Мом GaN со встроенным драйвером и защитой позволяют разработчикам достигать новыx уровней плотности мощности и эффективности в системаx силовой электроники. В LMG342xR050 встроен кремниевый драйвер, который обеспечивает скорость переключения до 150 В/нс. Интегрированное прецизионное смещение затвора TI обеспечивает более высокую скорость переключения по сравнению с дискретными кремниевыми драйверами. Такая интеграция в сочетании с пакетом TI с низкой индуктивностью обеспечивает чистое переключение и минимальные помеxи в топологияx источников питания с жесткой коммутацией. Регулируемая мощность привода затвора позволяет регулировать скорость нарастания напряжения от 20 В/нс до 150 В/нс, что может быть использовано для активного контроля электромагнитныx помеx и оптимизации производительности коммутации.

Технические параметры

Техническая документация