LMG3425R030RQZT, Gate Drivers 600-V 30-m? GaN FET with integrated driv LMG3425R030RQZR
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029005290
- Артикул
- LMG3425R030RQZT
- Бренд
- Texas Instruments
- Type:
- High-Side, Low-Side
- Brand:
- Texas Instruments
- Product:
- Driver ICs-Various
- Fall Time:
- 21 ns
Цена по запросу
(от 4 731,96 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевые транзисторы LMG342xR030 GaN (FET) Полевые транзисторы Texas Instruments LMG342xR030 GaN (FET) оснащены встроенным драйвером и защитой, что позволяет разработчикам достигать новыx уровней плотности мощности и эффективности в системаx силовой электроники.
Технические параметры
| Type: | High-Side, Low-Side |
| Brand: | Texas Instruments |
| Product: | Driver ICs-Various |
| Fall Time: | 21 ns |
| Rise Time: | 2.5 ns |
| Вес, г | 0.08 |
| Technology: | GaN |
| Subcategory: | PMIC-Power Management ICs |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Package/Case: | VQFN-54 |
| Product Type: | Gate Drivers |
| Configuration: | Inverting, Non-Inverting |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | Gate Drivers |
| Number of Drivers: | 1 Driver |
| Number of Outputs: | 1 Output |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Supply Voltage - Max: | 18 V |
| Supply Voltage - Min: | 7.5 V |
| Factory Pack Quantity: | 250 |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |