LGE3M80120Q, Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 70A; 300W
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8039452178
- Артикул
- LGE3M80120Q
- Бренд
- Luguang Electronic Technology CO.,LTD
- Вес, г
- 3
- Корпус
- TO-247-4
- Рабочая температура, °C
- 175
- Материал полупроводника
- Карбид кремния
Цена по запросу
(от 1 530 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 3 |
| Корпус | TO-247-4 |
| Рабочая температура, °C | 175 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 1200 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 31 |