LGE3M35120Q, Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 44A; Idm: 130A; 300W
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8039452182
- Артикул
- LGE3M35120Q
- Бренд
- Luguang Electronic Technology CO.,LTD
- Вес, г
- 5
- Материал полупроводника
- Карбид кремния
- Максимальное обратное напряжение (В)
- 1200
- Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)
- 44
Цена по запросу
(от 2 150 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 5 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 1200 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 44 |