Моя заявка (0)

LGE3M30065Q, Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 54A; Idm: 170A; 300W

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8039452174
Артикул
LGE3M30065Q
Бренд
Luguang Electronic Technology CO.,LTD
Вес, г
3
Корпус
TO-247-4
Материал полупроводника
Карбид кремния
Максимальное обратное напряжение (В)
650
Цена по запросу
(от 2 560 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г3
КорпусTO-247-4
Материал полупроводникаКарбид кремния
Максимальное обратное напряжение (В)650
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)54