Моя заявка (0)

LGE3M18120Q, Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 74A; Idm: 220A; 428W

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8039452176
Артикул
LGE3M18120Q
Бренд
Luguang Electronic Technology CO.,LTD
Вес, г
3
Корпус
TO-247-4
Рабочая температура, °C
25
Материал полупроводника
Карбид кремния
Цена по запросу
(от 3 720 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г3
КорпусTO-247-4
Рабочая температура, °C25
Материал полупроводникаКарбид кремния
Максимальное обратное напряжение (В)1200
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)74