Моя заявка (0)

LGE3M14120Q, Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 108A; Idm: 340A; 625W

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8039452177
Артикул
LGE3M14120Q
Бренд
Luguang Electronic Technology CO.,LTD
Вес, г
3
Материал полупроводника
Карбид кремния
Максимальное обратное напряжение (В)
1200
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)
108
Цена по запросу
(от 5 830 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г3
Материал полупроводникаКарбид кремния
Максимальное обратное напряжение (В)1200
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)108