L6388ED013TR, Драйвер MOSFET/IGBT, High/Low-side [SOIC-8]
![L6388ED013TR, Драйвер MOSFET/IGBT, High/Low-side [SOIC-8]](https://static.epl-electro.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000137993
- Артикул
- L6388ED013TR
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 0.15
- Корпус
- SOIC-8(0.154 inch)
- Тип входа
- инвертирующий
- Тип канала
- независимый
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Драйверы MOSFET и IGBT-транзисторов Драйверы MOSFET и IGBT-транзисторов STMicroelectronics представляют собой линейку дискретныx устройств для промышленного, бытового, компьютерного и автомобильного применения. В ассортименте представлены одно-, полумостовые и многоканальные драйверы. Драйверы рассчитаны как на низкое, так и на высокое напряжение (до 1500 В). Компания ST также предлагает микросxемы управления затворами с гальванической развязкой, отвечающие требованиям безопасности и функциональности. Решения System-in-Package (SiP) объединяют драйверы затворов с высокой и низкой производительностью и силовые каскады на базе MOSFET. Это делает иx идеальными для промышленного рынка благодаря более высокому уровню интеграции и более низким затратам на разработку.
Технические параметры
| Вес, г | 0.15 |
| Корпус | SOIC-8(0.154 inch) |
| Тип входа | инвертирующий |
| Тип канала | независимый |
| Конфигурация | Half-Bridge |
| Кол-во каналов | 2 |
| Напряжение питания, В | 17(Max) |
| Рабочая температура, °C | -40…+150(TJ) |
| Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
| Логическое напряжение (VIH), В | 1.8 |
| Логическое напряжение (VIL), В | 1.1 |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 0.65 |
| Максимальное напряжение смещения, В | 600 |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 40 |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 70 |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 0.4 |