Моя заявка (0)
L6386ED MOSFET Gate Driver 2, 0.65 A, 17V 14-Pin, SOIC

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8016181726
Артикул
L6386ED
Бренд
STMicroelectronics
ECCN
EAR99
RoHS
Details
Type
High Side/Low Side
Brand
STMicroelectronics
Цена по запросу
(от 750 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание IC: driver; push-pull; SO14; 400mA; 580V; Ch: 2; 400kHz; Usup: 17V Характеристики Категория Микросхема Тип драйвер Вид контроллер затвора IGBT, контроллер затвора MOSFET, high-/low-side switch Монтаж SMD Кол-во каналов 2 Частота, МГц 0.4 Мин.напряжение питания, В 17 Макс.напряжение питания, В 17

Технические параметры

ECCNEAR99
RoHSDetails
TypeHigh Side/Low Side
BrandSTMicroelectronics
HTSUS8542.39.0001
SeriesL6386E
PackageTube
ProductHalf-Bridge Drivers
PolarityNon-Inverting
TopologyHalf Bridge
Fall Time30 ns
Gate TypeIGBT, N-Channel MOSFET
PackagingTube
Pin Count14
Rise Time50 ns
Input TypeInverting
Logic TypeCMOS, TTL
Вес, г2
Bridge TypeHalf Bridge
RoHS StatusROHS3 Compliant
Channel TypeIndependent
ManufacturerSTMicroelectronics
Package TypeSOIC
REACH StatusREACH Unaffected
КорпусSOIC-14(0.154 inch)
ConfigurationNon-Inverting
Mounting TypeSurface Mount
Mounting StyleSMD/SMT
Output Current0.65 A
Package / Case14-SOIC (0.154"", 3.90mm Width)
Supply Voltage17V
Product CategoryGate Drivers
Voltage - Supply17V (Max)
Number of Drivers2
Number of Outputs2
Тип входаинвертирующий
Base Product NumberL6386 ->
Тип каналанезависимый
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Factory Pack Quantity1000
Operating Temperature-40В°C ~ 150В°C (TJ)
Pd - Power Dissipation750 mW
Rise / Fall Time (Typ)50ns, 30ns
Supplier Device Package14-SO
Logic Voltage - VIL, VIH1.5V, 3.6V
Кол-во каналов2
High and Low Sides DependencyIndependent
Maximum Operating Temperature+125 C
Minimum Operating Temperature-45 C
кол-во в упаковке50
Moisture Sensitivity Level (MSL)3 (168 Hours)
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600V
Current - Peak Output (Source, Sink)400mA, 650mA
Напряжение питания, В17(Max)
Рабочая температура, °C-40…+150(TJ)
Тип управляемого затвораIGBT, N-CH MOSFET
Логическое напряжение (VIH), В3.6
Логическое напряжение (VIL), В1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А0.65
Максимальное напряжение смещения, В600
Номинальное время затухания (Fall Time), нс30
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс50
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А0.4

Техническая документация