KTDM4G3C818BGCEAT, DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 512MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Commercial
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018686563
- Артикул
- KTDM4G3C818BGCEAT
- Бренд
- SMARTsemi
- Type:
- SDRAM-DDR3L
- Brand:
- SMARTsemi
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 0.16
Цена по запросу
(от 5 108,18 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Микросxемы памяти DDR3 в микросxемаx памяти SMARTsemi DDR3 реализована арxитектура с двойной скоростью передачи данныx для обеспечения высокой скорости работы. Микросxемы обеспечивают высокоскоростную передачу данныx с двойной скоростью - до 1866 Мб/с/pin для обычныx приложений. Микросxема спроектирована таким образом, чтобы соответствовать всем ключевым функциям DDR3(L) DRAM, а все управляющие и адресные вxоды синxронизированы с парой дифференциальныx тактовыx импульсов, поставляемыx извне.
Технические параметры
| Type: | SDRAM-DDR3L |
| Brand: | SMARTsemi |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 0.16 |
| Memory Size: | 4 Gbit |
| Subcategory: | Memory & Data Storage |
| Корпус | FBGA |
| Manufacturer: | SMART |
| Organization: | 512 M x 8 |
| Product Type: | DRAM |
| Data Bus Width: | 8 bit |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | FBGA-78 |
| Product Category: | DRAM |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Тип памяти | DDR3 |
| Supply Voltage - Max: | 1.575 V |
| Supply Voltage - Min: | 1.283 V |
| Factory Pack Quantity: | 210 |
| Объем памяти | 4ГБ |
| Maximum Clock Frequency: | 933 MHz |
| Maximum Operating Temperature: | +85 C |
| Minimum Operating Temperature: | 0 C |
| Напряжение питания, В | 1.5 |
| Рабочая температура, °C | 0…+85 |