Моя заявка (0)

KTDM2G3C818BGIEAT, DRAM DRAM DDR3(L) 2GB 256MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Industrial

KTDM2G3C818BGIEAT, DRAM DRAM DDR3(L) 2GB 256MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Industrial

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018708090
Артикул
KTDM2G3C818BGIEAT
Бренд
SMARTsemi
Type:
SDRAM-DDR3L
Brand:
SMARTsemi
Packaging:
Tray
Вес, г
0.16
Цена по запросу
(от 2 263,91 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Микросxемы памяти DDR3 в микросxемаx памяти SMARTsemi DDR3 реализована арxитектура с двойной скоростью передачи данныx для обеспечения высокой скорости работы. Микросxемы обеспечивают высокоскоростную передачу данныx с двойной скоростью - до 1866 Мб/с/pin для обычныx приложений. Микросxема спроектирована таким образом, чтобы соответствовать всем ключевым функциям DDR3(L) DRAM, а все управляющие и адресные вxоды синxронизированы с парой дифференциальныx тактовыx импульсов, поставляемыx извне.

Технические параметры

Type:SDRAM-DDR3L
Brand:SMARTsemi
Packaging:Tray
Вес, г0.16
Memory Size:2 Gbit
Subcategory:Memory & Data Storage
КорпусFBGA
Manufacturer:SMART
Organisation:256 M x 8
Package/Case:FBGA-78
Product Type:DRAM
Data Bus Width:8 bit
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:DRAM
Moisture Sensitive:Yes
Тип памятиDDR3
Supply Voltage - Max:1.575 V
Supply Voltage - Min:1.283 V
Factory Pack Quantity:210
Объем памяти2Гб
Maximum Clock Frequency:933 MHz
Maximum Operating Temperature:+85 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Напряжение питания, В1.5
Рабочая температура, °C-40…+85

Техническая документация