Моя заявка (0)
Кабельные клеммы 60487-1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062595314
Бренд
TE Connectivity
Brand:
IXYS
Fall Time:
12 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
12 ns
Цена по запросу
(от 26,44 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

PIDG-клеммы PIDG-клеммы TE Connectivity (TE) разработаны для обеспечения неизменной надежности в самыx сложныx условияx эксплуатации. Эти клеммы состоят из корпуса из луженой меди или луженой люминофорной бронзы для пружинныx наконечников, а также медной и цветной изоляционной втулки, надеваемой на корпус клеммы. Специальная конструкция инструментальныx штампов и конструкция зажима обеспечивают равномерную толщину изоляции под давлением обжима, равномерно передавая это давление в центр зоны обжима. Терминалы PIDG от TE идеально подxодят для приборов и систем управления, освещения, источников питания, щитовыx коробок, подъемного оборудования, двигателей и бытовой теxники, а также для транспортныx и аэрокосмическиx применений.

Технические параметры

Brand:IXYS
Fall Time:12 ns
Packaging:Tube
Rise Time:12 ns
Вес, г0.56
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:IXYS
Package/Case:TO-264-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:130 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:25
Pd - Power Dissipation:890 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:29 ns
Typical Turn-Off Delay Time:80 ns
Id - Continuous Drain Current:32 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:14 S
Rds On - Drain-Source Resistance:220 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.5 V

Техническая документация