Модуль IGBT 100A 1200V Semitrans JGT100HF120G1NS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8055399348
- Артикул
- JGT100HF120G1NS
- Бренд
- JBY
- Вес, г
- 176
- Корпус
- SEMITRANS 2
- Структура
- полумост
- Рабочая температура (Tj), °C
- -40…+150
Цена по запросу
(от 2 950 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IGBT модуль, полумост, корпус Semitrans, чипы 7-го поколения. Промышленный стандарт, применяется в 2-х и 3-х уровневых преобразователях. Высоконадёжные модули. 100% выходной контроль. Соответствуют стандартам качества европейских производителей. Компания JBY - один из ведущих производителей IGBT-модулей, производит модули с номинальным обратным напряжением от 1200 В до 3300 В. И номинальным током от 75 А до 3600 А.
Технические параметры
| Вес, г | 176 |
| Корпус | SEMITRANS 2 |
| Структура | полумост |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+150 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 150 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 535 |