Моя заявка (0)

JANTX1N6110A, ESD Protection Diodes / TVS Diodes 14.25V 75mA Bi-Directional TVS THT

JANTX1N6110A, ESD Protection Diodes / TVS Diodes 14.25V 75mA Bi-Directional TVS THT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004809907
Артикул
JANTX1N6110A
Бренд
Microchip Technology
PPAP
No
Brand:
Microchip/Microsemi
Diameter
3.42(Max)mm
Mounting
Through Hole
Цена по запросу
(от 5 520 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

TVS Diode Single Bi-Dir 11,4 В 500 Вт 2-контактный корпус E Bag

Технические параметры

PPAPNo
Brand:Microchip/Microsemi
Diameter3.42(Max)mm
MountingThrough Hole
PackagingBag
Pin Count2
Polarity:Bidirectional
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Packaging:Bulk
Вес, г0.75
PCB changed2
Part StatusActive
Subcategory:TVS Diodes/ESD Suppression Diodes
КорпусHERMETIC SEALED GLASS
ConfigurationSingle
Manufacturer:Microchip
Product Type:TVS Diodes
Direction TypeBi-Directional
Package Length4.7(Max)mm
Supplier PackageCase E
Working Voltage:11.4 V
Мощность500
Clamping Voltage:21 V
Product Category:ESD Protection Diodes/TVS Diodes
Test Current (mA)75
Breakdown Voltage:14.25 V
Termination Style:Axial
Number of Channels:1 Channel
ПолярностьДвунаправленный
Factory Pack Quantity:1
Ipp - Peak Pulse Current:23.8 A
Supplier Temperature GradeMilitary
Number of Elements per Chip1
Maximum Clamping Voltage (V)21
Minimum Breakdown Voltage (V)14.25
Maximum Operating Temperature:+175 C
Maximum Peak Pulse Current (A)23.8
Minimum Operating Temperature:-55 C
Peak Pulse Power Dissipation (W)500
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Количество каналов1
Maximum Reverse Leakage Current (uA)20
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation:500 W
Maximum Reverse Stand-Off Voltage (V)11.4
Типовое рабочее напряжение11.4
Минимальное пробивное напряжение14.25

Техническая документация