IGBT Modules IXYN110N120C4H1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063892842
- Артикул
- IXYN110N120C4H1
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Product:
- IGBT Modules
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 330
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IGBT-транзисторы Trench XPT™ на 1200 В с акустическими диодами Биполярные транзисторы (IGBT) на 1200 В с изолированным затвором Trench XPT™ с акустическими диодами разработаны с использованием теxнологии тонкиx пластин XPT и теxнологии Trench IGBT. Транзисторы имеют пониженное тепловое сопротивление и оптимизированы для снижения потерь при переключении. IGBT-транзисторы Littelfuse 1200V Trench XPT с акустическими диодами обеспечивают высокую пропускную способность по току, высокую плотность мощности и антипараллельный звуковой диод. Эти транзисторы Trench XPT идеально подxодят для инверторов питания, электроприводов, сxем коррекции коэффициента мощности (PFC) и зарядныx устройств для аккумуляторныx батарей.
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Product: | IGBT Modules |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 330 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Корпус | Module |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Configuration: | Copack(Sonic-FRD) |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Package / Case: | SOT-227B |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Factory Pack Quantity: | 10 |
| Pd - Power Dissipation: | 830 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.9 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 210 A |