Моя заявка (0)

IXYA20N120C4HV,IGBT, 68 A, 2.5 V, 375 W, 1.2 kV, TO-263HV, 3 Pins

IXYA20N120C4HV,IGBT, 68 A, 2.5 V, 375 W, 1.2 kV, TO-263HV, 3 Pins

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009004459
Артикул
IXYA20N120C4HV
Бренд
Ixys Corporation
MSL
MSL 1-Unlimited
Вес, г
6
Серия
Trench - 650V - 1200V GenX40
No. of Pins
3Pins
Цена по запросу
(от 2 430 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 4TH GENERATION GENX4

Технические параметры

MSLMSL 1-Unlimited
Вес, г6
СерияTrench - 650V - 1200V GenX40
No. of Pins3Pins
Product RangeXPT GenX4
УпаковкаTube
Power Dissipation375W
Transistor MountingSurface Mount
ТехнологияSi
Transistor Case StyleTO-263HV
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаIGBT Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияIGBTs
Operating Temperature Max175°C
Торговая маркаIXYS
Упаковка / блокTO-263HV-3
Continuous Collector Current68A
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Collector Emitter Saturation Voltage2.5V
Pd - рассеивание мощности375 W
Коммерческое обозначениеXPT
Размер фабричной упаковки50
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.120 A
Непрерывный коллекторный ток при 25 C68 A
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.1200 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.1 V

Техническая документация