Моя заявка (0)

IXXH80N65B4H1,IGBT, 160 A, 1.65 V, 625 W, 650 V, TO-247AD, 3 Pins

IXXH80N65B4H1,IGBT, 160 A, 1.65 V, 625 W, 650 V, TO-247AD, 3 Pins

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004136273
Артикул
IXXH80N65B4H1
Бренд
Ixys Corporation
Brand:
IXYS
Pin Count
3
Packaging:
Tube
Вес, г
4
Цена по запросу
(от 3 740 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный транзистор с изолированным затвором или IGBT - это силовое полупроводниковое устройство с тремя выводами, отличающееся высокой эффективностью и быстрым переключением.

Технические параметры

Brand:IXYS
Pin Count3
Packaging:Tube
Вес, г4
No. of Pins3Pins
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeTO-247AD
Subcategory:IGBTs
Energy Rating5.2mJ
Manufacturer:IXYS
Mounting TypeThrough Hole
Package/Case:TO-247AD-3
Product RangeXPT GenX4
Product Type:IGBT Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Switching Speed5 → 30kHz
Power Dissipation625W
Product Category:IGBTs
Transistor MountingThrough Hole
Number of Transistors1
Transistor Case StyleTO-247AD
Factory Pack Quantity:30
Pd - Power Dissipation:625 W
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation625 W
Operating Temperature Max175°C
Continuous Collector Current160A
Maximum Gate Emitter Voltage±20V
Collector Emitter Voltage Max650V
Gate-Emitter Leakage Current:100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage:-20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Collector Emitter Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.65V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:650 V
Continuous Collector Current Ic Max:80 A
Maximum Continuous Collector Current430 A
Collector-Emitter Saturation Voltage:2.1 V
Continuous Collector Current at 25 C:160 A

Техническая документация