Моя заявка (0)
IXTN46N50L, MOSFET Modules 44 Amps 500V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006314688
Артикул
IXTN46N50L
Бренд
Ixys Corporation
Type:
Linear Power MOSFET
Width
25.07mm
Brand:
IXYS
Series
Linear
Цена по запросу
(от 11 790 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные силовые МОП-транзисторы, разработанные специально для линейной работы. Эти устройства имеют расширенную безопасную рабочую зону прямого смещения (FBSOA) для повышения прочности и надежности.

Технические параметры

Type:Linear Power MOSFET
Width25.07mm
Brand:IXYS
SeriesLinear
Series:IXTN46N50
Product:Power MOSFET Modules
Pin Count4
Fall Time:42 ns
Packaging:Tube
Rise Time:50 ns
Вес, г30
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-227
Subcategory:Discrete Semiconductor Modules
Manufacturer:IXYS
Mounting TypeScrew Mount
Product Type:Discrete Semiconductor Modules
Configuration:Single
Mounting Style:Chassis Mount
Package / Case:SOT-227-4
Product Category:Discrete Semiconductor Modules
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor Polarity:N-Channel
Vr - Reverse Voltage:100 V
Pd - Power Dissipation:700 W
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation700 W
Typical Gate Charge @ Vgs260 nC @ 15 V
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Maximum Gate Source Voltage-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:40 ns
Maximum Drain Source Voltage500 V
Typical Turn-Off Delay Time:80 ns
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Id - Continuous Drain Current:46 A
Maximum Gate Threshold Voltage6V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance160 mΩ
Maximum Continuous Drain Current46 A
Rds On - Drain-Source Resistance:160 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:500 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:10

Техническая документация