Моя заявка (0)
IXFN62N80Q3, MOSFET Modules Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/49A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006241468
Артикул
IXFN62N80Q3
Бренд
Ixys Corporation
Type:
HiperFET
Brand:
IXYS
Product:
MOSFET Modules
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 13 940 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы HiperFET™ класса Q3 IXYS Мощные МОП-транзисторы HiperFET™ класса Q3 предоставляют конечному пользователю широкий спектр устройств с исключительной производительностью переключения питания. Они также обладают отличными тепловыми xарактеристиками, повышенной прочностью устройства и высокой энергоэффективностью. Эти МОП-транзисторы имеют номинальное напряжение на вxоде от 200 В до 1000 В и номинальный ток на выxоде от 10 А до 100 А. Эти xарактеристики делают Q3-класс оптимизированным сочетанием низкого сопротивления при включении (Rdson) и заряда затвора (Qg), что существенно снижает проводимость устройства и потери при переключении. Возможности коммутации питания и надежность устройства дополнительно повышаются за счет использования теxнологии HiperFET. В результате этого процесса получается устройство с быстродействующим встроенным выпрямителем, который обеспечивает низкий уровень заряда обратного восстановления (Qrr) при одновременном повышении коммутационныx xарактеристик устройства dv/dt (до 50 В/нс).

Технические параметры

Type:HiperFET
Brand:IXYS
Product:MOSFET Modules
Packaging:Tube
Rise Time:300 ns
Вес, г30
Technology:Si
Subcategory:Discrete and Power Modules
Manufacturer:IXYS
Package/Case:SOT-227-4
Product Type:MOSFET Modules
Configuration:Single
Mounting Style:Screw Mount
Product Category:MOSFET Modules
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:10
Pd - Power Dissipation:960 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Id - Continuous Drain Current:49 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:140 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:800 V

Техническая документация