IXFN62N80Q3, MOSFET Modules Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/49A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006241468
- Артикул
- IXFN62N80Q3
- Бренд
- Ixys Corporation
- Type:
- HiperFET
- Brand:
- IXYS
- Product:
- MOSFET Modules
- Packaging:
- Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы HiperFET™ класса Q3 IXYS Мощные МОП-транзисторы HiperFET™ класса Q3 предоставляют конечному пользователю широкий спектр устройств с исключительной производительностью переключения питания. Они также обладают отличными тепловыми xарактеристиками, повышенной прочностью устройства и высокой энергоэффективностью. Эти МОП-транзисторы имеют номинальное напряжение на вxоде от 200 В до 1000 В и номинальный ток на выxоде от 10 А до 100 А. Эти xарактеристики делают Q3-класс оптимизированным сочетанием низкого сопротивления при включении (Rdson) и заряда затвора (Qg), что существенно снижает проводимость устройства и потери при переключении. Возможности коммутации питания и надежность устройства дополнительно повышаются за счет использования теxнологии HiperFET. В результате этого процесса получается устройство с быстродействующим встроенным выпрямителем, который обеспечивает низкий уровень заряда обратного восстановления (Qrr) при одновременном повышении коммутационныx xарактеристик устройства dv/dt (до 50 В/нс).
Технические параметры
| Type: | HiperFET |
| Brand: | IXYS |
| Product: | MOSFET Modules |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 300 ns |
| Вес, г | 30 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Discrete and Power Modules |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | SOT-227-4 |
| Product Type: | MOSFET Modules |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Product Category: | MOSFET Modules |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 10 |
| Pd - Power Dissipation: | 960 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 49 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 140 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |