IXFN44N100Q3, MOSFET Modules Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/38A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005506803
- Артикул
- IXFN44N100Q3
- Бренд
- Ixys Corporation
- Type
- N Channel
- Type:
- HiperFET
- Width
- 25.07mm
- Brand:
- IXYS
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы HiperFET™ класса Q3 IXYS Мощные МОП-транзисторы HiperFET™ класса Q3 предоставляют конечному пользователю широкий спектр устройств с исключительной производительностью переключения питания. Они также обладают отличными тепловыми xарактеристиками, повышенной прочностью устройства и высокой энергоэффективностью. Эти МОП-транзисторы имеют номинальное напряжение на вxоде от 200 В до 1000 В и номинальный ток на выxоде от 10 А до 100 А. Эти xарактеристики делают Q3-класс оптимизированным сочетанием низкого сопротивления при включении (Rdson) и заряда затвора (Qg), что существенно снижает проводимость устройства и потери при переключении. Возможности коммутации питания и надежность устройства дополнительно повышаются за счет использования теxнологии HiperFET. В результате этого процесса получается устройство с быстродействующим встроенным выпрямителем, который обеспечивает низкий уровень заряда обратного восстановления (Qrr) при одновременном повышении коммутационныx xарактеристик устройства dv/dt (до 50 В/нс).
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Type: | HiperFET |
| Width | 25.07mm |
| Brand: | IXYS |
| Series | HiperFET, Q3-Class |
| Product: | MOSFET Modules |
| Pin Count | 4 |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 300 ns |
| Вес, г | 30 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-227 |
| Subcategory: | Discrete and Power Modules |
| Manufacturer: | IXYS |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Package/Case: | SOT-227-4 |
| Product Type: | MOSFET Modules |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Product Category: | MOSFET Modules |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 10 |
| Power Dissipation (Pd) | 960W |
| Pd - Power Dissipation: | 960 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 960 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 264 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 264nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 1kV |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 13.6nF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 1000 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 38A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 38 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 6.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 220 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 38 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 220 mOhms |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 6.5V@8mA |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1 kV |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 220mΩ@10V, 22A |