IXFN32N120P, MOSFET Modules 32 Amps 1200V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007300936
- Артикул
- IXFN32N120P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Type:
- Polar HiPerFET Power MOSFET
- Brand:
- IXYS
- Product:
- MOSFET Modules
- Fall Time:
- 58 ns
Цена по запросу
(от 15 520 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Polar HiPerFET IXYS Мощные МОП-транзисторы Polar™ HiPerFETs сочетают в себе преимущества семейства Polar Standard с более быстродействующим корпусным диодом. Время обратного восстановления диодов faster body (trr) сокращено, что делает иx пригодными для управления двигателями с фазосдвигающими мостами и в системаx бесперебойного питания (ИБП). Это семейство МОП-транзисторов обеспечивает самый низкий уровень RDS (on), низкий RthJC, низкое Qg и расширенные возможности dv/dt.
Технические параметры
| Type: | Polar HiPerFET Power MOSFET |
| Brand: | IXYS |
| Product: | MOSFET Modules |
| Fall Time: | 58 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 62 ns |
| Вес, г | 30 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Discrete and Power Modules |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | SOT-227-4 |
| Product Type: | MOSFET Modules |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Product Category: | MOSFET Modules |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 10 |
| Pd - Power Dissipation: | 1 kW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 70 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 88 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 32 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 310 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 6.5 V |