Моя заявка (0)
IXFN300N10P, MOSFET Modules Polar Power MOSFET HiPerFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8007229740
Артикул
IXFN300N10P
Бренд
Ixys Corporation
Type:
Polar Power MOSFET HiPerFET
Brand:
IXYS
Product:
MOSFET Modules
Fall Time:
25 ns
Цена по запросу
(от 9 520 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Polar HiPerFET IXYS Мощные МОП-транзисторы Polar™ HiPerFETs сочетают в себе преимущества семейства Polar Standard с более быстродействующим корпусным диодом. Время обратного восстановления диодов faster body (trr) сокращено, что делает иx пригодными для управления двигателями с фазосдвигающими мостами и в системаx бесперебойного питания (ИБП). Это семейство МОП-транзисторов обеспечивает самый низкий уровень RDS (on), низкий RthJC, низкое Qg и расширенные возможности dv/dt.

Технические параметры

Type:Polar Power MOSFET HiPerFET
Brand:IXYS
Product:MOSFET Modules
Fall Time:25 ns
Packaging:Tube
Rise Time:35 ns
Вес, г30
Technology:Si
Subcategory:Discrete and Power Modules
Manufacturer:IXYS
Package/Case:SOT-227-4
Product Type:MOSFET Modules
Configuration:Single
Mounting Style:Screw Mount
Product Category:MOSFET Modules
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:10
Pd - Power Dissipation:1.07 kW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:36 ns
Typical Turn-Off Delay Time:56 ns
Id - Continuous Drain Current:295 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:5.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:5 V

Техническая документация