HiperFET, Polar Type N-Channel MOSFET, 88 A, 300 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH88N30P
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8888988780
- Артикул
- IXFH88N30P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO247-3
- Width
- 5.3mm
- Series
- HiperFET, Polar
- Тип
- Polar HiPerFET Power MOSFET
Цена по запросу
(от 3 430 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 300В, 88А, 600Вт, TO247-3 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Width | 5.3mm |
| Series | HiperFET, Polar |
| Тип | Polar HiPerFET Power MOSFET |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 2 |
| Длина | 16.26 mm |
| Серия | IXFH88N30 |
| Gate charge | 180nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | IXYS |
| Package Type | TO-247 |
| Polarisation | unipolar |
| Высота | 21.46 mm |
| Ширина | 5.3 mm |
| Drain current | 88A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Упаковка | Tube |
| Power dissipation | 600W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| On-state resistance | 40mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 300V |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 25 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 600 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 300 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Qg - заряд затвора | 180 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 40 mΩ |
| Время нарастания | 24 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 88 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 600 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 88 A |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 40 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 300 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 96 ns |
| Типичное время задержки при включении | 25 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 40 S |