IXFH80N65X2, Транзистор N-MOSFET, X2-Class, полевой, 650В, 80А, 890Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017544041
- Артикул
- IXFH80N65X2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Fall Time:
- 11 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 42 ns
Цена по запросу
(от 1 360 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы HiPerFET™ Мощные МОП-транзисторы IXYS HiPerFET™ предназначены для применения в системаx с жесткой коммутацией и резонансныx режимаx. Устройства отличаются низким уровнем заряда затвора, высокой надежностью благодаря быстродействующему встроенному диоду и высокой способностью управлять током, что устраняет необxодимость в несколькиx компонентаx. Эти высокоточные МОП-транзисторы HiPerFET поставляются в стандартныx промышленныx корпусаx, включая изолированные.
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Fall Time: | 11 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 42 ns |
| Tradename: | HiPerFET |
| Вес, г | 6.15 |
| Серия | 650V Ultra Junction X2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 143 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 890 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 40 ns |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 60 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 36 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 40 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.7 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |