IS66WVE4M16TBLL-70BLI, SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004739728
- Артикул
- IS66WVE4M16TBLL-70BLI
- Бренд
- Integrated Silicon Solution
- Type:
- Asynchronous
- Brand:
- ISSI
- Series:
- IS66WVE4M16TBLL
- Вес, г
- 0.09
Цена по запросу
(от 1 850 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Псевдо-SRAM/CellularRAM Устройства ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM обладают лучшими функциями как DRAM, так и SRAM. ISSI PSRAM/CellularRAM имеет арxитектуру, подобную SRAM. В отличие от DRAM, здесь предусмотрена скрытая функция обновления, которая не требует физического обновления. Эти устройства CellularRAM разработаны в соответствии со стандартами CellularRAM и доступны в версияx CRAM 1.5 и CRAM 2.0.
Технические параметры
| Type: | Asynchronous |
| Brand: | ISSI |
| Series: | IS66WVE4M16TBLL |
| Вес, г | 0.09 |
| Серия | IS66WVE4M16TBLL |
| Access Time: | 70 ns |
| Memory Size: | 64 Mbit |
| Memory Type: | SDR |
| Subcategory: | Memory & Data Storage |
| Корпус | 48 Ball BGA |
| Manufacturer: | ISSI |
| Organization: | 4 M x 16 |
| Product Type: | SRAM |
| Interface Type: | Parallel |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TFBGA-48 |
| Product Category: | SRAM |
| Интерфейс | parallel |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Тип памяти | SRAM |
| Supply Current - Max: | 30 mA |
| Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
| Supply Voltage - Min: | 2.7 V |
| Объем памяти | 64Мб |
| Maximum Operating Temperature: | +85 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Напряжение питания, В | 2.7 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 480 |
| Максимальная тактовая частота (скорость) | 70нс |