IS66WVE4M16ECLL-70BLI, SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004739729
- Артикул
- IS66WVE4M16ECLL-70BLI
- Бренд
- Integrated Silicon Solution
- Brand:
- ISSI
- Packaging:
- Reel
- Technology
- PSRAM(Pseudo SRAM)
- Вес, г
- 2
Цена по запросу
(от 1 950 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Устройства ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM обладают лучшими функциями как DRAM, так и SRAM. ISSI PSRAM/CellularRAM имеет арxитектуру, подобную SRAM. В отличие от DRAM, здесь предусмотрена скрытая функция обновления, которая не требует физического обновления. Эти устройства CellularRAM разработаны в соответствии со стандартами CellularRAM и доступны в версияx CRAM 1.5 и CRAM 2.0.
Технические параметры
| Brand: | ISSI |
| Packaging: | Reel |
| Technology | PSRAM(Pseudo SRAM) |
| Вес, г | 2 |
| Access Time | 70 ns |
| Memory Size | 64Mbit |
| Memory Type | Volatile |
| Access Time: | 70 ns |
| Memory Size: | 64 Mbit |
| Subcategory: | Memory & Data Storage |
| Manufacturer: | ISSI |
| Memory Format | PSRAM |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Organisation: | 4 M x 16 |
| Organization: | 4 M x 16 |
| Product Type: | SRAM |
| Package / Case | 48-TFBGA |
| Interface Type: | Parallel |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Memory Interface | Parallel |
| Voltage - Supply | 1.7V ~ 1.95V |
| Product Category: | SRAM |
| Интерфейс | parallel |
| Memory Organization | 4M x 16 |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Тип памяти | SRAM |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C(TA) |
| Supply Current - Max: | 30 mA |
| Supply Voltage - Max: | 1.95 V |
| Supply Voltage - Min: | 1.7 V |
| Factory Pack Quantity: | 480 |
| Supplier Device Package | 48-TFBGA(6x8) |
| Объем памяти | 64Мб |
| Write Cycle Time - Word, Page | 70ns |
| Maximum Operating Temperature: | +85 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Напряжение питания, В | 1.7-1.95 |
| Максимальная тактовая частота (скорость) | 70нс |