IS66WVE4M16EBLL-70BLI, SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005378613
- Артикул
- IS66WVE4M16EBLL-70BLI
- Бренд
- Integrated Silicon Solution
- Technology
- PSRAM(Pseudo SRAM)
- Вес, г
- 0.16
- Access Time
- 70 ns
- Memory Size
- 64Mbit
Цена по запросу
(от 1 700 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Микросxема памяти PSRAM (псевдо-SRAM) 64 Мбит/с, параллельная 70 нс, 48-TFBGA (6x8)
Технические параметры
| Technology | PSRAM(Pseudo SRAM) |
| Вес, г | 0.16 |
| Access Time | 70 ns |
| Memory Size | 64Mbit |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | PSRAM |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 48-TFBGA |
| Memory Interface | Parallel |
| Voltage - Supply | 2.7V ~ 3.6V |
| Memory Organization | 4M x 16 |
| Тип памяти | SRAM |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C(TA) |
| Supplier Device Package | 48-TFBGA(6x8) |
| Объем памяти | 64Мб |
| Время Доступа | 70нс |
| Размер Памяти | 64Мбит |
| Write Cycle Time - Word, Page | 70ns |
| Линейка Продукции | - |
| Количество Выводов | 48вывод(-ов) |
| Напряжение питания, В | 2.7 |
| Конфигурация Памяти SRAM | 4М x 16бит |
| Диапазон Напряжения Питания | 2.7В до 3.6В |
| Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | TFBGA |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
| Максимальная Рабочая Температура | 85°C |
| Максимальная тактовая частота (скорость) | 70нс |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |